Új megközelítés az interfészeken keresztül
A Hefei Kutatóintézetben dolgozó Shao Dingfu professzor csapata most forradalmi lépést tett: nem a tömbi tulajdonságokra, hanem a felületi, interfészeken fellépő hatásokra koncentráltak. Elsősorban az A-típusú antiferromágnesekre fókuszáltak, ahol sima és stabil interfészek mellett extrém mértékű spinkülönbség keletkezett, még akkor is, ha az anyag maga egyébként nem tartalmazott ilyen megosztottságot a tömbjében.
Gyakorlati áttörés: FeGeTe–BN konstrukció
Első elvi szimulációkkal terveztek egy újszerű AFM-alagútcsatlakozót: egy kétdimenziós, A-típusú (FeGeTe) fém és egy szigetelő bór-nitrid (BN) réteg párosításával elérték, hogy az interfész miatt jelentős, 100%-hoz közeli alagút mágnes-ellenállás (TMR) jött létre, amelynél a relatív mágnesezettség beállítása vezérelte az ellenállást. Ez a megközelítés tágabb anyagválasztékot kínál, mert az AFM-anyagokat a növesztési irány beállításával könnyen egymásra lehet rétegezni A-típusú elrendezésben.
Új korszak a spintronikában
A tanulmány komoly visszhangot váltott ki: a nemzetközi szakértők szerint a kompenzálatlan antiferromágneses interfészek teljesen új lehetőségeket hoznak a van der Waals-réteges szerkezetek és a nagy teljesítményű, MI-vezérelt spintronikus eszközök világába. Ezzel egy évtizedes dogmát cáfoltak meg: a jövő elektronikus berendezései már nem a tömbi, hanem az interfész-hatásokon fognak múlni.
