A generatív MI miatt robban az igény
Az egyre elterjedtebb generatív MI-technológiák miatt hatalmasra nőtt az adatközpontok energiaigénye, ezért világszerte keresik azokat a hardvermegoldásokat, amelyek hatékonyabban tudják mindezt kiszolgálni. Az MRAM feltörekvő technológia, amelynél nem hagyományosan, hanem elektromos árammal állítják be az anyag mágnesességét. Ennek végrehajtásához a kutatók úgynevezett spin-orbitális nyomatékkihasználást (SOT) alkalmaznak, és a platinával bevont TmIG-film ideális ehhez.
Olcsóbb, egyszerűbb, tömeggyártható
A most kifejlesztett eljárás az on-axis sputtering nevű tömegtermelési technikán alapul: atomokat lőnek ki az anyagból, majd ezek a célszubsztrátumra rakódnak le atomrétegenként. Ennek segítségével akár 3 nanométer vastag platinabevonatot is képesek voltak létrehozni a TmIG-rétegen, és már minimális árammal (hatékonyság: 0,7 × 10^11 A/m^2) megváltoztatható volt az adatok mágneses iránya – miközben az elért eredmények egyenértékűek a korábbiakkal.
Lépés a fenntartható adatvilág felé
A csapat már fejleszt olyan prototípus-eszközöket, amelyek kihasználják ezt a technológiát, és remélik, hogy ezek alapvetően megváltoztathatják az adatközpontok energiahatékonyságát. Mindez hozzájárulhat ahhoz, hogy az MI-vezérelte hardverek fogyasztása ne szálljon el a jövőben, így a digitális világ fenntarthatóbbá válhat – anélkül, hogy kompromisszumot kellene kötni a teljesítményben.
