Az IBM rekordja: közel 100 milliárd tranzisztor egyetlen chipen

Új irány: teljesen háromdimenziós dizájn

A fejlesztés középpontjában a NanoStack elnevezésű, 3D-s, nanosheet-alapú tranzisztorarchitektúra áll, amely függőlegesen, azaz a z tengely mentén növeli tovább a tranzisztorok sűrűségét. A megoldás lényege, hogy két nanosheet-tranzisztort egymás fölé, egyetlen szerkezetbe helyeznek, így minden szintet külön optimalizálnak, és azokat ellentétes oldalakról vezetik ki. Az egyes tranzisztorokban három, egyenként kevesebb mint 5 nm vastag nanosheet fut, közöttük 9 nm a távolság; mindegyik mindössze 15 szilíciumatom széles. Ez a dizájn lehetővé teszi az eltérő anyagok és gyártási eljárások kombinálását, amellyel több generáción átívelő fejlődés érhető el – így akár a jövőben 1 angströmre (0,1 nm) is lemehetnek.

Lépés az MI-gyorsítók jövője felé

A későbbiekben kiderült, hogy az új architektúra nemcsak a méretcsökkentés miatt jelent előrelépést. Az IBM belső mérései szerint a NanoStack 50%-kal nagyobb teljesítményt kínál változatlan fogyasztás mellett, vagy ugyanakkora teljesítményhez akár 70%-kal kevesebb energiát igényel, mint a mostani legjobb chipek. Hasonlóképpen, a memóriasűrűségben 40%-os előrelépést értek el, ami különösen fontos az MI-alapú gyorsítók és a nagy memóriasávszélességre építő alkalmazások számára, hiszen közelebb vihetik az adatokat a feldolgozóegységekhez.

Előtérben az iparági áttörés

Az IBM minimum egy teljes évtizednyi fejlődési potenciált lát az új technológiában, amely 5 éven belül megjelenhet a gyártásban, és idővel a CPU-k, GPU-k, mobilchipek és SRAM-memóriák alapja lehet. Ezzel újabb lendületet adnak az elektronikának, hiszen a NanoStack egy teljesen új platformot nyújt a számítástechnikában, és utat nyithat az angström-korszak felé.

2026, adrienne, hardware.slashdot.org alapján